【第一參賽人/留學(xué)人員】王旭
【留學(xué)國(guó)家】美國(guó)
【技術(shù)領(lǐng)域】新材料
【參賽屆次】第9屆
【所獲獎(jiǎng)項(xiàng)】入圍
【項(xiàng)目簡(jiǎn)介】
本公司項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)由海歸博士團(tuán)隊(duì)依靠自主研發(fā)專(zhuān)利技術(shù),研發(fā)團(tuán)隊(duì)成員7人都具有世界一流材料物理和化學(xué)系擔(dān)任研究員、教授的學(xué)術(shù)執(zhí)教背景,也有在歐美知名科技公司從事納米材料及器件研發(fā)設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)。通過(guò)采用原位生長(zhǎng)的方法,使碳納米管和納米銀線(xiàn)的電解溶液再滲透進(jìn)入鉑鍵晶核,配位形成復(fù)合型的碳納米管銀納米線(xiàn),這是一款能夠在平衡條件下相同或不同分子間通過(guò)非共價(jià)鍵弱項(xiàng)作用自發(fā)構(gòu)成具有特種性能、長(zhǎng)成有序的分子聚集過(guò)程高純無(wú)機(jī)材料,解決了傳統(tǒng)硅基芯片的漏電發(fā)熱問(wèn)題和摩爾定律限制,以及短溝道帶隙寬度窄、散熱性不佳的技術(shù)痛點(diǎn),有比硅基芯片在速度和功耗上5至10倍優(yōu)勢(shì)。本產(chǎn)品的出現(xiàn)將大幅減少?lài)?guó)家進(jìn)口高端芯片的額度,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)替代進(jìn)口光刻機(jī)的顛覆性的創(chuàng)新,有利于國(guó)家的發(fā)展大計(jì)。
【展開(kāi)】
【收起】